Samsung développe une puce NAND à 400 couches pour les disques SSD de grande capacité

Samsung continue d'affirmer sa position de leader dans la course à la technologie avec son projet de fabrication de puces mémoire NAND empilées à 400 couches, dont la sortie est prévue pour 2026. Cette avancée révolutionnaire ouvrira la voie à des disques SSD à très haute capacité, répondant aux demandes massives de stockage de données de l'intelligence artificielle (IA).

Actuellement, Samsung place de grands espoirs dans sa puce NAND V10 de 10e génération, développée à l'aide de la technologie BV NAND avancée. Cette technologie permet de produire des cellules de mémoire et des circuits périphériques sur des plaquettes séparées, qui sont ensuite combinées en une puce complète. Cette approche minimise le dégagement de chaleur et optimise les performances. La densité de bits par unité de surface de la puce NAND V10 est 1,6 fois supérieure à celle de la génération précédente, ce qui permet de produire des disques SSD de très grande capacité, pouvant potentiellement dépasser le seuil des 200 To. Il s'agira d'une solution idéale pour les applications d'IA qui nécessitent des capacités de traitement de données massives.

Au-delà de la puce NAND à 400 couches, Samsung a établi une feuille de route de développement ambitieuse, visant à sortir la puce NAND V11 avec des vitesses de transfert de données 50 % plus rapides d'ici 2027 et même à développer des puces NAND à plus de 1 000 couches d'ici 2030 pour renforcer sa position de leader sur le marché.

Outre la NAND, Samsung se concentre également sur le développement de nouvelles gammes de DRAM, visant des tailles compactes inférieures à 10 nm et des performances supérieures. Grâce à ces efforts incessants, le géant technologique sud-coréen contribue à façonner l'avenir des technologies de stockage, faisant entrer l'humanité dans l'ère de l'IA avec un potentiel de traitement des données "illimité".

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